Low RDS (ON) LED Lighting Mosfet

Product DescriptionGeneral DescriptionThe GreenMOS®  high voltage MOSFET utilizes charge balance technology to achieve outstanding low on-resistance and lower gate charge.  It is engineered to minimize conduction loss, provide superior switching performance and robust avalanche capability.The GreenMOS®  S series is optimized for its switching characteristics to achieve aggressive EMI standards. It is easy to use for smaller power supply systems to meet the both efficiency and EMI standards.Features. Low RDS(ON) & FOM. Extremely low switching loss. Excellent stability and uniformityApplications. PC power. LED lighting. Telecom power.  Server power. EV Charger.  Solar/UPSKey Performance Parameters  ParameterValueUnitVDS700VID, pulse38ARDS(ON) , max @ VGS=10V250mΩQg39nCMarking Information  Product NamePackageMarkingOSG70R250KSFTO263OSG70R250KSPackage & Pin Information    Absolute Maximum Ratings at Tj=25°C unless otherwise noted  ParameterSymbolValueUnitDrain-source voltageVDS700VGate-source voltageVGS±30VContinuous drain current1) , TC=25 °CID17AContinuous drain current1) , TC=100 °C10.8Pulsed drain current2) , TC=25 °CID, pulse38AContinuous diode forward current1) , TC=25 °CIS17ADiode pulsed current2) , TC=25 °CIS, pulse38APower dissipation3) , TC=25 °CPD163WSingle pulsed avalanche energy5)EAS243mJMOSFET dv/dt ruggedness, VDS=0…640 Vdv/dt50V/nsReverse diode dv/dt, VDS=0…640 V, ISD≤IDdv/dt15V/nsOperation and storage temperatureTstg, Tj-55 to 150°CThermal Characteristics  ParameterSymbolValueUnitThermal resistance, junction-caseRθJC0.77°C/WThermal resistance, junction-ambient4)RθJA62°C/WElectrical Characteristics at Tj=25°C unless otherwise specified  ParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitTest conditionDrain-sourcebreakdown voltageBVDSS700  VVGS=0 V, ID=250 μAGate thresholdvoltageVGS(th)2.9 3.9VVDS=VGS , ID=250 μADrain-source on- state resistanceRDS(ON) 0.170.25ΩVGS=10 V, ID=8.5 A 0.44 VGS=10 V, ID=8.5 A, Tj=150 °CGate-sourceleakage currentIGSS  100nAVGS=30 V  - 100VGS=-30 VDrain-sourceleakage currentIDSS  1μAVDS=700 V, VGS=0 VGate resistanceRG 9 Ωƒ=1 MHz, Open drainDynamic Characteristics  ParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitTest conditionInput capacitanceCiss 1750 pFVGS=0 V,VDS=50 V,ƒ=100 kHzOutput capacitanceCoss 200 pFReverse transfer capacitanceCrss 13 pFTurn-on delay timetd(on) 17 nsVGS=10 V,VDS=400 V,RG=2 Ω,ID=8 ARise timetr 14 nsTurn-off delay timetd(off) 64 nsFall timetf 11 nsGate Charge Characteristics  ParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitTest conditionTotal gate chargeQg 39 nCVGS=10 V,VDS=400 V,ID=8 AGate-source chargeQgs 9 nCGate-drain chargeQgd 15 nCGate plateau voltageVplateau 5.3 VBody Diode Characteristics  ParameterSymbolMin.Typ.Max.UnitTest conditionDiode forward voltageVSD  1.3VIS=17 A,VGS=0 VReverse recovery timetrr 294 nsVR =400 V,IS=8 A,di/dt=100 A/μsReverse recovery chargeQrr 4 μCPeak reverse recovery currentIrrm 25 ANote1)    Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. 2)    Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.3)    Pd is based on max. junction temperature, using junction-case thermal resistance.4)    The value of RθJA  is measured with the device mounted on 1 in 2  FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with Ta=25 °C.5)    VDD=100 V, VGS=10 V, L=75 mH, starting Tj=25 °C.     /* March 10, 2023 17:59:20 */!function(){function s(e,r){var a,o={};try{e&&e.split(",").forEach(function(e,t){e&&(a=e.match(/(.*?):(.*)$/))&&1